オールフラッシュは、共有ストレージのパフォーマンスを大幅に向上させる革命でした。しかし、ビジネスインサイトを促進してお客様に迅速に対応することが求められる中で、オールフラッシュストレージは限界に直面しています。予測可能かつ超低レイテンシを大規模に実現するには、エンタープライズストレージを再構築して、次世代のイノベーションにつなげることが不可欠となります。
HPE Memory-Driven Flashは、メモリの革新的な速度を活用する最初のエンタープライズストレージです。世界最高水準のインテリジェントストレージ1としてご利用いただけます。HPE Memory-Driven Flashは、かつてないレベルのアプリケーションパフォーマンスを実現するために、ソフトウェアのインテリジェンス、ストレージクラスメモリ (SCM) およびNon-Volatile Memory Express (NVMe) を組み合わせ、NVMe SSD搭載オールフラッシュアレイより最大50%高速化されています2。
HPE 3PARおよびNimble Storageに組み込まれたインテリジェンスは、高速の読み取りパフォーマンスを実現するべくインテルOptaneメモリメディアを自動的に最適化し、ほんの少量でも大容量メモリ搭載のストレージ相当するメモリを作成します。
共有ストレージに最適なHPE Memory-Driven Flashにより、平均で200us以下、ほぼ100%のIOに対して300us以内という極めて低いレイテンシで、すべてのクリティカルなワークロードに対応します。
現在HPE 3PARおよびNimbleをご利用のお客様は、メディア交換やデータ移行、リスクにつながる操作、さらに運用も中断することもなく、HPE Memory-Driven Flashへアップグレードを行い、メモリレベルの速度を最大限に活用して頂けます3。
Memory-Driven Flashは、ストレージにおけるこの25年間で最も飛躍的な進歩であり、業界全体がMemory-Driven Flashへと移行する先駆けとなるものです。業界をリードするHPEは、アーキテクチャーの枠組みに大きな変革をもたらし、あらゆる環境でメモリの速度を実現できるようにしました。HPE Memory-Driven Flashは、HPE 3PARおよびNimble Storageの将来性を考慮したアーキテクチャー上に構築されました。2つのプラットフォームは共に、導入当初からの投資保護を考慮して設計され、常に最新状態のストレージを維持するべく、簡単に新たなテクノロジーに適用できるようになっています。
2つのプラットフォームは共に、導入当初からの投資保護を考慮して設計され、常に最新状態のストレージを維持するべく、簡単に新たなテクノロジーに適用できるようになっています。世界最高レベルのインテリジェントなストレージでご利用いただけます1。
常時稼働のデータ削減機能を備えた、最も効率的なオールSCMとほぼ同等のパフォーマンス。
予測可能かつ超低レイテンシを大規模に実現することで、ミッションクリティカルなワークロードにも対応。
こちらのソリューション概要では、革新的なメモリ速度によって、あらゆるビジネスで全く新しいインサイトの獲得とイノベーションを実現する、最新エンタープライズストレージ - HPEメモリ主導型フラッシュの詳細をご紹介しています。
このインフォグラフィックでは、メモリ速度でデータを強化する全く新しいエンタープライズストレージ - HPEメモリ主導型フラッシュについて解説しています。
HPE 3PARおよびNimble storage向けのSCMおよびNVMe
企業の基盤となる多くのデジタルトランスフォーメーションにおいて、HPEメモリ主導型フラッシュは、低レイテンシで非常に高いスループットと広い帯域幅を有するエンタープライズストレージソリューションです。
2 2018年11月26日現在で公開されているDell PowerMaxのレイテンシ値と比較したHPE 3PARの内部テストに基づきます。
3 3PARでは、2018年12月に利用可能となります。HPE Nimble Storageは2019年中頃までに利用可能となる予定です。
